由于蓝绿光与红黄光LED价格竞争激烈，促使众多LED厂商积极寻找新的利润突破点，此时，紫外(UV)LED逐渐受到关注。近年来随着紫外LED技术的提升，其市场应用也在快速成长，预期紫外LED技术将会有更大的发展前景。
这几年，我国紫外LED技术应用发展相对迅速，除了一些科研院所在紫外LED取得了丰硕的研究成果外，国内的LED企业也在紫外LED领域开拓出属于自己的市场，在近紫外LED芯片领域以西安中为光电、亚威朗光电、华磊光电等为代表上游公司都有涉及近紫外芯片。紫外LED芯片发光的波长越短，技术难度就越大，在深紫外LED芯片领域我国也有以青岛杰生为代表的优秀企业。
另外以国星光电、鸿利光电为代表的中游封装公司都推出了各自的紫外 LED产品。去年鸿利光电与青岛杰生在广州达成战略合作协议，双方未来将共同开发深紫外紫外LED(波长在260～320nm之间)市场，开启紫外市场上中游全面合作新格局。我国台湾地区的晶电、新世纪、光鋐、荣创等LED企业都在紫外LED产品开始布局。
国外产业格局
日本凭借其在蓝光LED领域的先发优势，在紫外LED方面的进展同样举世瞩目，日本主要紫外LED包括日亚化学与DOWA等。美国在深紫外的研究方面领先，具有代表性的企业是美国的SETI公司，但是近年有被日本超越的趋势，日本日机装(NIKKISO)从2015年春季开始量产发光波长为 255～350nm的深紫外LED。韩国厂商首尔半导体与LG Innotek也在研发紫外LED。
与蓝光不同，目前紫外LED正处于技术发展期，在专利和知识产权方面限制较少，有利于占领、引领未来的技术制高点。中国在紫外LED的装备、材料和器件方面都有了一定的积累，目前正在积极地向应用模块发展。在紫外LED形成大规模产业之前，还需要国家的引导和支持，以便在核心技术方面取得先机。
芯片研究课题
(1)荧光材料与封装材料
目前市场上的白光LED主要是通过蓝光LED激发黄色荧光粉实现，而紫外LED通过分别激发红色、绿色和蓝色荧光材料也得到白光LED。并且得到的白光LED的显示指数与色纯度等方面更优异。因此很多致力于蓝色 LED开发和性能提高的研究小组近年来开始转战紫外LED。获得诺贝尔物理学奖的赤崎勇和天野浩的研发小组近年来也将AlGaN类紫外LED的研究作为重要主题之一。
关于紫外LED激发荧光粉实现白光LED研究方向，由三菱电线工业与Stanley电气、山口大学共同发布的数据显示，波长400nm的外部量子效率是380nm的近2倍;另外是使用400nm波长，有望提高荧光体的RGB转换效率，因为波长差距越小，波长转换前后的光能量差也就越小。所以山口大学提出“很有可能是波长400nm的近紫外光激发出的白光亮度最高”。